Valence band engineering of GaAsBi for low noise avalanche photodiodes

An avalanche photodiode is an opto-electronic amplifier that uses impact ionization to provide enhanced sensitivity at the expense of excess noise. In this manuscript, the authors demonstrate that a small amount of Bismuth (Bi) in Gallium Arsenide (GaAs) avalanche photodiodes significantly reduces t...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Yuchen Liu, Xin Yi, Nicholas J. Bailey, Zhize Zhou, Thomas B. O. Rockett, Leh W. Lim, Chee H. Tan, Robert D. Richards, John P. R. David
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: Nature Portfolio 2021
Materias:
Q
Acceso en línea:https://doaj.org/article/01c74c96825d42328ebb577ad34efec4
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