Ab initio perspective of ultra-scaled CMOS from 2D-material fundamentals to dynamically doped transistors

Abstract Using accurate dissipative DFT-NEGF atomistic-simulation techniques within the Wannier-Function formalism, we give a fresh look at the possibility of sub-10-nm scaling for high-performance complementary metal oxide semiconductor (CMOS) applications. We show that a combination of good electr...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Aryan Afzalian
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: Nature Portfolio 2021
Materias:
Acceso en línea:https://doaj.org/article/02c9797c024848289326129a8cac622e
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