Reversible displacive transformation in MnTe polymorphic semiconductor

Designing low power consumption and fast operation electronic phase-change devices remains a challenge. Here, the authors demonstrate the reversible displacive transformation in polycrystalline MnTe films to enable resistive switching via fast Joule heating for fast nonvolatile memory applications.

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Shunsuke Mori, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Daisuke Ando, Yuji Sutou
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: Nature Portfolio 2020
Materias:
Q
Acceso en línea:https://doaj.org/article/2a3e41db05ea44e9a4aa201ed7dfe1d5
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Ejemplares similares