Reversible displacive transformation in MnTe polymorphic semiconductor
Designing low power consumption and fast operation electronic phase-change devices remains a challenge. Here, the authors demonstrate the reversible displacive transformation in polycrystalline MnTe films to enable resistive switching via fast Joule heating for fast nonvolatile memory applications.
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Formato: | article |
Lenguaje: | EN |
Publicado: |
Nature Portfolio
2020
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Acceso en línea: | https://doaj.org/article/2a3e41db05ea44e9a4aa201ed7dfe1d5 |
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