Direct band-gap crossover in epitaxial monolayer boron nitride

Direct band-gap crossover in epitaxial monolayer boron nitride

Insulating hexagonal boron nitride (hBN) is theoretically expected to undergo a crossover to a direct bandgap in the monolayer limit. Here, the authors perform optical spectroscopy measurements on atomically thin epitaxial hBN providing indications of the presence of a direct gap of energy 6.1 eV in...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: C. Elias, P. Valvin, T. Pelini, A. Summerfield, C. J. Mellor, T. S. Cheng, L. Eaves, C. T. Foxon, P. H. Beton, S. V. Novikov, B. Gil, G. Cassabois
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: Nature Portfolio 2019
Materias:
Science
Q
Acceso en línea:https://doaj.org/article/37ee1074b78f488f83916006346b401a
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Ejemplares similares

Ejemplares similares