Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors

A brief review of our recent research on injection photodiodes based on metal oxide semiconductors deposited onto Si substrates is presented. A series of ZnSnO, NiO, and Zn1-xMgxO thin films are prepared by aerosol spray pyrolysis deposition or sol–gel spin coating on Si substrates with a post-depos...

Descripción completa

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Morari Vadim, Ursaki Veacheslav, Rusu Emil, Tiginyanu Ion
Formato:	article
Lenguaje:	EN
Publicado:	D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies 2020
Materias:	thin films aerosol spray pyrolysis sol–gel spin coating injection photodiodes Filme subțiri piroliză cu aerosoli metoda sol-gel centrifugare fotodiode cu injecție Physics QC1-999 Electronics TK7800-8360
Acceso en línea:	https://doaj.org/article/59809e1ff65a44f1a2e7a037910d943f
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

id	oai:doaj.org-article:59809e1ff65a44f1a2e7a037910d943f
record_format	dspace
spelling	oai:doaj.org-article:59809e1ff65a44f1a2e7a037910d943f2021-11-21T12:13:59ZInjection photodiodes based on metal oxide semiconductors10.5281/zenodo.4118693538.8+539.2+621.3822537-63651810-648Xhttps://doaj.org/article/59809e1ff65a44f1a2e7a037910d943f2020-10-01T00:00:00Zhttps://mjps.nanotech.md/archive/2020/article/112704https://doaj.org/toc/1810-648Xhttps://doaj.org/toc/2537-6365A brief review of our recent research on injection photodiodes based on metal oxide semiconductors deposited onto Si substrates is presented. A series of ZnSnO, NiO, and Zn1-xMgxO thin films are prepared by aerosol spray pyrolysis deposition or sol–gel spin coating on Si substrates with a post-deposition thermal treatment in air at a temperature of 5000C. The morphology of films is studied by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, while their elemental composition and crystal structure are determined from energy dispersive X-ray (EDAX) and X-ray diffraction (XRD) analysis, respectively. It is shown that the produced n-ZnSnO/p-Si, n-ZnMgO/p-Si, and p-NiO/n-Si heterojunctions operate as injection photodiodes at a forward bias.Este prezentată o analiză succintă a rezultatelor cercetărilor noastre recente obținute pe fotodiode cu injecție în baza materialelor semiconductoare cu oxid de metal depuse pe substraturi de Si. Prin metoda pirolizei cu aerosoli și sol-gel urmată de centrifugare au fost preparate o serie de filme subțiri de ZnSnO, NiO și Zn1-xMgxO pe substraturi de Si cu tratament termic post-depunere în aer la temperatura de 5000 C. Morfologia filmelor a fost studiată cu microscopia electronică de scanare și microscopia de forță atomică, iar compoziția chimică și structura cristalină au fost analizate cu dispersia energetică a razelor X (EDAX) și difracția razelor X (XRD), respectiv. S-a arătat că heterojoncțiunile elaborate n-ZnSnO/p-Si, n-ZnMgO/p-Si și p-NiO/n-Si funcționează ca fotodiode cu injecție la polarizare directă.Morari VadimUrsaki VeacheslavRusu EmilTiginyanu IonD.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologiesarticlethin filmsaerosol spray pyrolysissol–gel spin coatinginjection photodiodesFilme subțiripiroliză cu aerosolimetoda sol-gelcentrifugarefotodiode cu injecțiePhysicsQC1-999ElectronicsTK7800-8360ENMoldavian Journal of the Physical Sciences, Vol 19, Iss 1-2, Pp 98-109 (2020)
institution	DOAJ
collection	DOAJ
language	EN
topic	thin films aerosol spray pyrolysis sol–gel spin coating injection photodiodes Filme subțiri piroliză cu aerosoli metoda sol-gel centrifugare fotodiode cu injecție Physics QC1-999 Electronics TK7800-8360
spellingShingle	thin films aerosol spray pyrolysis sol–gel spin coating injection photodiodes Filme subțiri piroliză cu aerosoli metoda sol-gel centrifugare fotodiode cu injecție Physics QC1-999 Electronics TK7800-8360 Morari Vadim Ursaki Veacheslav Rusu Emil Tiginyanu Ion Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
description	A brief review of our recent research on injection photodiodes based on metal oxide semiconductors deposited onto Si substrates is presented. A series of ZnSnO, NiO, and Zn1-xMgxO thin films are prepared by aerosol spray pyrolysis deposition or sol–gel spin coating on Si substrates with a post-deposition thermal treatment in air at a temperature of 5000C. The morphology of films is studied by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, while their elemental composition and crystal structure are determined from energy dispersive X-ray (EDAX) and X-ray diffraction (XRD) analysis, respectively. It is shown that the produced n-ZnSnO/p-Si, n-ZnMgO/p-Si, and p-NiO/n-Si heterojunctions operate as injection photodiodes at a forward bias.Este prezentată o analiză succintă a rezultatelor cercetărilor noastre recente obținute pe fotodiode cu injecție în baza materialelor semiconductoare cu oxid de metal depuse pe substraturi de Si. Prin metoda pirolizei cu aerosoli și sol-gel urmată de centrifugare au fost preparate o serie de filme subțiri de ZnSnO, NiO și Zn1-xMgxO pe substraturi de Si cu tratament termic post-depunere în aer la temperatura de 5000 C. Morfologia filmelor a fost studiată cu microscopia electronică de scanare și microscopia de forță atomică, iar compoziția chimică și structura cristalină au fost analizate cu dispersia energetică a razelor X (EDAX) și difracția razelor X (XRD), respectiv. S-a arătat că heterojoncțiunile elaborate n-ZnSnO/p-Si, n-ZnMgO/p-Si și p-NiO/n-Si funcționează ca fotodiode cu injecție la polarizare directă.
format	article
author	Morari Vadim Ursaki Veacheslav Rusu Emil Tiginyanu Ion
author_facet	Morari Vadim Ursaki Veacheslav Rusu Emil Tiginyanu Ion
author_sort	Morari Vadim
title	Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
title_short	Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
title_full	Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
title_fullStr	Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
title_full_unstemmed	Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
title_sort	injection photodiodes based on metal oxide semiconductors
publisher	D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies
publishDate	2020
url	https://doaj.org/article/59809e1ff65a44f1a2e7a037910d943f
work_keys_str_mv	AT morarivadim injectionphotodiodesbasedonmetaloxidesemiconductors AT ursakiveacheslav injectionphotodiodesbasedonmetaloxidesemiconductors AT rusuemil injectionphotodiodesbasedonmetaloxidesemiconductors AT tiginyanuion injectionphotodiodesbasedonmetaloxidesemiconductors
_version_	1718419125045297152

Injection photodiodes based on metal oxide semiconductors

Ejemplares similares