Effect of Al, Ga, and In Doping on the Optical, Structural, and Electric Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films with oxygen vacancies and doped with Al, Ga, and In (Zn<sub>1-x</sub>M<sub>x</sub>O<sub>1−y</sub> (x = 0.03)) have been successfully deposited on soda-lime glass substrates using a simple soft chemical method. The crystalline structure shows a singl...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Samuel Porcar, Jaime González, Diego Fraga, Teodora Stoyanova Lyubenova, Gina Soraca, Juan B. Carda
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: MDPI AG 2021
Materias:
T
Acceso en línea:https://doaj.org/article/9edc95988b7d4429ac4df2ebd8460aee
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