Role of dislocations in nitride laser diodes with different indium content

Abstract In this work we investigate the role of threading dislocations in nitride light emitters with different indium composition. We compare the properties of laser diodes grown on the low defect density GaN substrate with their counterparts grown on sapphire substrate in the same epitaxial proce...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Agata Bojarska-Cieślińska, Łucja Marona, Julita Smalc-Koziorowska, Szymon Grzanka, Jan Weyher, Dario Schiavon, Piotr Perlin
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: Nature Portfolio 2021
Materias:
R
Q
Acceso en línea:https://doaj.org/article/ad1ac300cccf4de3a4f0e4b600d3126c
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