Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semicon...
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| Autores principales: | , |
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| Formato: | article |
| Lenguaje: | EN ES |
| Publicado: |
Instituto de Investigación de Física
2021
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://doaj.org/article/c045be09eba242b791624fda9b16ad37 |
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| Sumario: | El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semiconductor sin dopar, es necesario la caracterización de los efectos que producen las impurezas eléctricamente activas en las muestras dopadas. En este trabajo se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor binario antimoniuro de galio dopado con vanadio (GaSb:V) por medio de un Microscopio de Fuerza Atómica. El barrido de su supercie se realizó en el modo tapping para obtener imágenes de la topografía y de los perles topográficos de la muestra, mientras las propiedades electrónicas se determinaron a través de las curvas I vs V conseguidas mediante el modo contacto.
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