Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V

El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semicon...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Roxani Marisa Yaringaño Limache, Rodolfo Luis Sonco Cutire
Formato:	article
Lenguaje:	EN ES
Publicado:	Instituto de Investigación de Física 2021
Materias:	GaSb:V Microscopio de Fuerza Atómica Propiedades Electrónicas Semiconductores III-V Physics QC1-999
Acceso en línea:	https://doaj.org/article/c045be09eba242b791624fda9b16ad37
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Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V

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