Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe

Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca, Pablo Héctor Rivera Riofano
Format:	article
Language:	EN ES
Published:	Instituto de Investigación de Física 2021
Subjects:	Semiconductores Teoría de funcionales de densidad estructura de banda acoplamiento espín-órbita Physics QC1-999
Online Access:	https://doaj.org/article/c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	oai:doaj.org-article:c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf
record_format	dspace
spelling	oai:doaj.org-article:c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf2021-11-06T03:07:28ZOrdenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe1605-77241728-2977https://doaj.org/article/c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf2021-10-01T00:00:00Zhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448https://doaj.org/toc/1605-7724https://doaj.org/toc/1728-2977 Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín. Cristhian David Hinostroza Vargas MachucaPablo Héctor Rivera RiofanoInstituto de Investigación de FísicaarticleSemiconductoresTeoría de funcionales de densidadestructura de bandaacoplamiento espín-órbitaPhysicsQC1-999ENESRevista de Investigación de Física (2021)
institution	DOAJ
collection	DOAJ
language	EN ES
topic	Semiconductores Teoría de funcionales de densidad estructura de banda acoplamiento espín-órbita Physics QC1-999
spellingShingle	Semiconductores Teoría de funcionales de densidad estructura de banda acoplamiento espín-órbita Physics QC1-999 Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca Pablo Héctor Rivera Riofano Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
description	Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín.
format	article
author	Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca Pablo Héctor Rivera Riofano
author_facet	Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca Pablo Héctor Rivera Riofano
author_sort	Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca
title	Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
title_short	Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
title_full	Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
title_fullStr	Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
title_full_unstemmed	Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
title_sort	ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del hgte y cdte
publisher	Instituto de Investigación de Física
publishDate	2021
url	https://doaj.org/article/c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf
work_keys_str_mv	AT cristhiandavidhinostrozavargasmachuca ordenamientodebandasyefectosrelativistasenlaestructuraelectronicadelhgteycdte AT pablohectorriverariofano ordenamientodebandasyefectosrelativistasenlaestructuraelectronicadelhgteycdte
_version_	1718444006992510976

Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe

Similar Items