Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador...
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Instituto de Investigación de Física
2021
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oai:doaj.org-article:c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf2021-11-06T03:07:28ZOrdenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe1605-77241728-2977https://doaj.org/article/c6f8f1abed45413197a364abc0b3dbaf2021-10-01T00:00:00Zhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448https://doaj.org/toc/1605-7724https://doaj.org/toc/1728-2977 Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín. Cristhian David Hinostroza Vargas MachucaPablo Héctor Rivera RiofanoInstituto de Investigación de FísicaarticleSemiconductoresTeoría de funcionales de densidadestructura de bandaacoplamiento espín-órbitaPhysicsQC1-999ENESRevista de Investigación de Física (2021) |
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Semiconductores Teoría de funcionales de densidad estructura de banda acoplamiento espín-órbita Physics QC1-999 |
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Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín.
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