Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications

Doped (with GaCl3), undoped ZnO and ITO/ZnO:Ga nanostructured thin films are synthesized using the spray pyrolysis method. The doped ZnO thin films are synthesized at the atomic ratio of Ga/Zn added in the starting solution fixed at 1, 2, 3, and 5. Gallium-doped ZnO films synthesized on glass/ITO su...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rusnac Dumitru, Lungu Ion, Ghimpu Lidia, Colibaba Gleb, Potlog Tamara
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies 2021
Materias:
Acceso en línea:https://doi.org/10.53081/mjps.2021.20-1.07
https://doaj.org/article/d70509e9f933458596345b435999572d
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
id oai:doaj.org-article:d70509e9f933458596345b435999572d
record_format dspace
spelling oai:doaj.org-article:d70509e9f933458596345b435999572d2021-11-21T12:14:18ZStructural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applicationshttps://doi.org/10.53081/mjps.2021.20-1.07535.33:543.42537-63651810-648Xhttps://doaj.org/article/d70509e9f933458596345b435999572d2021-07-01T00:00:00Zhttps://mjps.nanotech.md/archive/2021/article/134659https://doaj.org/toc/1810-648Xhttps://doaj.org/toc/2537-6365Doped (with GaCl3), undoped ZnO and ITO/ZnO:Ga nanostructured thin films are synthesized using the spray pyrolysis method. The doped ZnO thin films are synthesized at the atomic ratio of Ga/Zn added in the starting solution fixed at 1, 2, 3, and 5. Gallium-doped ZnO films synthesized on glass/ITO substrates are annealed at 4500C in different environments: vacuum, oxygen, and hydrogen. X-ray diffraction (XRD), Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), atomic force microscopy (AFM), and current–voltage (I–V) measurements are applied to characterize the structural properties, composition, surface morphology, and electrical properties of ZnO:Ga nanostructured thin films. X-ray diffraction analysis shows that ZnO:Ga films deposited on glass substrates have a dense and homogeneous surface with a hexagonal structure. The ZnO:Ga films deposited on glass/ITO substrates are composed of two phases, namely, hexagonal ZnO and cubic ITO. The I–V characteristics show the presence of good ohmic contacts between Al and In metals and ZnO:Ga thin films regardless of the nature of the substrate and the annealing atmosphere.Au fost sintetizate straturi subțiri nanostructurate ZnO atât dopate cu (GaCl3), cât și nedopate, precum și straturi de ITO/ZnO:Ga, folosind metoda prin pulverizare cu piroliză. Straturile subțiri de ZnO dopate au fost sintetizate la raportul atomic Ga/Zn adăugat în soluția inițială fixă la 1, 2, 3 și 5 Straturile nanostructurate de ZnO dopate cu Ga obținute pe substraturi de sticlă/ITO au fost tratate termic la 450℃ în diferite medii: vid, oxigen și hidrogen. S-au realizat măsurătorile de difracție cu raze X (XRD), spectroscopie cu raze X cu dispersie energetică (EDX), microscopie cu forță atomică (AFM), curent-tensiune (I-V) pentru a caracteriza proprietățile structurale, compoziția, morfologia suprafeței și proprietățile electrice ale straturilor subțiri de ZnO:Ga. Analiza XRD arată că stratul de ZnO:Ga depus pe substratul de sticlă are o suprafață densă și omogenă cu structura hexagonală. Stratul de ZnO:Ga depus pe substraturi de sticlă/ITO indică două faze, acestea fiind ZnO hexagonal și ITO cubic. Caracteristica I-V prezintă contacte ohmice bune între metalele Al, In și straturile subțiri de ZnO:Ga, indiferent de natura substratului și de atmosfera de tratare termică. Rusnac DumitruLungu IonGhimpu LidiaColibaba GlebPotlog TamaraD.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologiesarticlezinc oxidegalliumAnnealingstructural propertiesfilm morphologyoxid de zincgaliutratare termicăproprietăți structuralemorfologia straturilor subțiriPhysicsQC1-999ElectronicsTK7800-8360ENMoldavian Journal of the Physical Sciences, Vol 20, Iss 1, Pp 84-93 (2021)
institution DOAJ
collection DOAJ
language EN
topic zinc oxide
gallium
Annealing
structural properties
film morphology
oxid de zinc
galiu
tratare termică
proprietăți structurale
morfologia straturilor subțiri
Physics
QC1-999
Electronics
TK7800-8360
spellingShingle zinc oxide
gallium
Annealing
structural properties
film morphology
oxid de zinc
galiu
tratare termică
proprietăți structurale
morfologia straturilor subțiri
Physics
QC1-999
Electronics
TK7800-8360
Rusnac Dumitru
Lungu Ion
Ghimpu Lidia
Colibaba Gleb
Potlog Tamara
Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
description Doped (with GaCl3), undoped ZnO and ITO/ZnO:Ga nanostructured thin films are synthesized using the spray pyrolysis method. The doped ZnO thin films are synthesized at the atomic ratio of Ga/Zn added in the starting solution fixed at 1, 2, 3, and 5. Gallium-doped ZnO films synthesized on glass/ITO substrates are annealed at 4500C in different environments: vacuum, oxygen, and hydrogen. X-ray diffraction (XRD), Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), atomic force microscopy (AFM), and current–voltage (I–V) measurements are applied to characterize the structural properties, composition, surface morphology, and electrical properties of ZnO:Ga nanostructured thin films. X-ray diffraction analysis shows that ZnO:Ga films deposited on glass substrates have a dense and homogeneous surface with a hexagonal structure. The ZnO:Ga films deposited on glass/ITO substrates are composed of two phases, namely, hexagonal ZnO and cubic ITO. The I–V characteristics show the presence of good ohmic contacts between Al and In metals and ZnO:Ga thin films regardless of the nature of the substrate and the annealing atmosphere.Au fost sintetizate straturi subțiri nanostructurate ZnO atât dopate cu (GaCl3), cât și nedopate, precum și straturi de ITO/ZnO:Ga, folosind metoda prin pulverizare cu piroliză. Straturile subțiri de ZnO dopate au fost sintetizate la raportul atomic Ga/Zn adăugat în soluția inițială fixă la 1, 2, 3 și 5 Straturile nanostructurate de ZnO dopate cu Ga obținute pe substraturi de sticlă/ITO au fost tratate termic la 450℃ în diferite medii: vid, oxigen și hidrogen. S-au realizat măsurătorile de difracție cu raze X (XRD), spectroscopie cu raze X cu dispersie energetică (EDX), microscopie cu forță atomică (AFM), curent-tensiune (I-V) pentru a caracteriza proprietățile structurale, compoziția, morfologia suprafeței și proprietățile electrice ale straturilor subțiri de ZnO:Ga. Analiza XRD arată că stratul de ZnO:Ga depus pe substratul de sticlă are o suprafață densă și omogenă cu structura hexagonală. Stratul de ZnO:Ga depus pe substraturi de sticlă/ITO indică două faze, acestea fiind ZnO hexagonal și ITO cubic. Caracteristica I-V prezintă contacte ohmice bune între metalele Al, In și straturile subțiri de ZnO:Ga, indiferent de natura substratului și de atmosfera de tratare termică.
format article
author Rusnac Dumitru
Lungu Ion
Ghimpu Lidia
Colibaba Gleb
Potlog Tamara
author_facet Rusnac Dumitru
Lungu Ion
Ghimpu Lidia
Colibaba Gleb
Potlog Tamara
author_sort Rusnac Dumitru
title Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
title_short Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
title_full Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
title_fullStr Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
title_full_unstemmed Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
title_sort structural and optical properties of zno:ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications
publisher D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies
publishDate 2021
url https://doi.org/10.53081/mjps.2021.20-1.07
https://doaj.org/article/d70509e9f933458596345b435999572d
work_keys_str_mv AT rusnacdumitru structuralandopticalpropertiesofznogathinfilmsdepositedonitoglasssubstratesforoptoelectronicapplications
AT lunguion structuralandopticalpropertiesofznogathinfilmsdepositedonitoglasssubstratesforoptoelectronicapplications
AT ghimpulidia structuralandopticalpropertiesofznogathinfilmsdepositedonitoglasssubstratesforoptoelectronicapplications
AT colibabagleb structuralandopticalpropertiesofznogathinfilmsdepositedonitoglasssubstratesforoptoelectronicapplications
AT potlogtamara structuralandopticalpropertiesofznogathinfilmsdepositedonitoglasssubstratesforoptoelectronicapplications
_version_ 1718419153068490752