Relaciones Potenciodinámicas Corriente/ Potencial para la Formación Electroquímica de Capas Yuxtapuestas

El objetivo de este trabajo es analizar y comparar las distintas propuestas teóricas presentadas para la formación electroquímica de monocapas y capas yuxtapuestas. Se estudia la variación del grado de cubrimiento de la superficie del electrodo en función del tiempo en la electroadsorción para proce...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Moreno,Dora E, Sustersic,María G
Lenguaje:	Spanish / Castilian
Publicado:	Centro de Información Tecnológica 2007
Materias:	elación potenciodinámica capas yuxtapuestas resistencia ohmica electroquímica
Acceso en línea:	http://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642007000100005
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spelling	oai:scielo:S0718-076420070001000052007-03-02Relaciones Potenciodinámicas Corriente/ Potencial para la Formación Electroquímica de Capas YuxtapuestasMoreno,Dora ESustersic,María G elación potenciodinámica capas yuxtapuestas resistencia ohmica electroquímica El objetivo de este trabajo es analizar y comparar las distintas propuestas teóricas presentadas para la formación electroquímica de monocapas y capas yuxtapuestas. Se estudia la variación del grado de cubrimiento de la superficie del electrodo en función del tiempo en la electroadsorción para procesos reversibles. El modelo básico considerado es el de Sirinivasan-Gileadi. Este ha sido ampliado por acoplamiento de un proceso de disolución química y por la participación de una resistencia óhmica. Recientemente se ha elaborado un modelo de formación de multicapas, aplicando las ecuaciones de Srinivasan-Gileadi a cada una de ellas, teniendo en cuenta la resistencia ohmica que cada capa opone al paso de corriente. Se analiza, además de la ley de cubrimiento superficial, el comportamiento de la relación corriente/potencial en los casos de monocapas y capas yuxtapuestas con o sin resistencia óhmica, mostrándose su influencia en el potencial del máximoinfo:eu-repo/semantics/openAccessCentro de Información TecnológicaInformación tecnológica v.18 n.1 20072007-01-01text/htmlhttp://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642007000100005es10.4067/S0718-07642007000100005
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