Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)
Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrod...
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| Autores principales: | , , , |
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| Lenguaje: | Spanish / Castilian |
| Publicado: |
Centro de Información Tecnológica
2011
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642011000300013 |
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| Sumario: | Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de señales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm² haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica. |
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