Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)

Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrod...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	López,Francisco, Soto,Blanca S, Zúñiga,Carlos, Alcántara,Salvador
Lenguaje:	Spanish / Castilian
Publicado:	Centro de Información Tecnológica 2011
Materias:	CMOS microelectrodo compuerta de transmisión bipotenciales filtro pasabanda
Acceso en línea:	http://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642011000300013
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spelling	oai:scielo:S0718-076420110003000132011-06-22Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)López,FranciscoSoto,Blanca SZúñiga,CarlosAlcántara,Salvador CMOS microelectrodo compuerta de transmisión bipotenciales filtro pasabanda Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de señales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm² haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica.info:eu-repo/semantics/openAccessCentro de Información TecnológicaInformación tecnológica v.22 n.3 20112011-01-01text/htmlhttp://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642011000300013es10.4067/S0718-07642011000300013
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description	Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de señales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm² haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica.
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Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)

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