Quantum simulation of the Hubbard model with dopant atoms in silicon

por J. Salfi, J. A. Mol, R. Rahman, G. Klimeck, M. Y. Simmons, L. C. L. Hollenberg, S. Rogge
Publicado 2016

Valley interference and spin exchange at the atomic scale in silicon

por B. Voisin, J. Bocquel, A. Tankasala, M. Usman, J. Salfi, R. Rahman, M. Y. Simmons, L. C. L. Hollenberg, S. Rogge
Publicado 2020