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    Effect of Schottky barrier height on quantitative analysis of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy
    por Keito Aoshima, Masahiro Horita, Jun Suda
    Publicado 2021
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    Fabrication of 150‐nm AlGaN/GaN field‐plated High Electron Mobility Transistors using i‐line stepper
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