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1
Characterization of 22 nm FDSOI nMOSFETs With Different Backplane Doping at Cryogenic Temperature
por
Tiantian Xie
,
Qing Wang
,
Hao Ge
,
Yinghuan Lv
,
Zhipeng
Ren
,
Jing Chen
Publicado 2021
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