Khediri, A., Talbi, A., Jaouad, A., Maher, H., & Soltani, A. (2021). Impact of III-Nitride/Si Interface Preconditioning on Breakdown Voltage in GaN-on-Silicon HEMT. MDPI AG.
Style de citation Chicago (17e éd.)Khediri, Abdelkrim, Abbasia Talbi, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher, et Ali Soltani. Impact of III-Nitride/Si Interface Preconditioning on Breakdown Voltage in GaN-on-Silicon HEMT. MDPI AG, 2021.
Style de citation MLA (8e éd.)Khediri, Abdelkrim, et al. Impact of III-Nitride/Si Interface Preconditioning on Breakdown Voltage in GaN-on-Silicon HEMT. MDPI AG, 2021.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.