1.4-kV Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Reverse <italic>p-n</italic> Junction Termination

In this paper, we demonstrate high-performance quasi-vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diodes (SBD) with a reverse GaN <italic>p-n</italic> junction termination (RPN). The SBD has a current output of 1 kA/cm<sup>2</sup> at <inline-formula> <tex-math notation=...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ru Xu, Peng Chen, Menghan Liu, Jing Zhou, Yunfei Yang, Yimeng Li, Cheng Ge, Haocheng Peng, Bin Liu, Dunjun Chen, Zili Xie, Rong Zhang, Youdou Zheng
Formato:	article
Lenguaje:	EN
Publicado:	IEEE 2020
Materias:	Vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diode reverse <italic xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">p-n</italic> GaN junction breakdown voltage power FOM Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering TK1-9971
Acceso en línea:	https://doaj.org/article/0db05b613b094be8ae88b2bfb892336f
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