A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes

We present a novel T-shaped tunneling field-effect transistor (TFET) on Si-on-insulator (SOI). The asymmetric source-drain structure can effectively suppress the ambipolar switching. The on-current (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\text{I}_{\mathrm{ on}}$ </tex-...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Chenhe Liu, Qinghua Ren, Zhixi Chen, Lantian Zhao, Chang Liu, Qiang Liu, Wenjie Yu, Xinke Liu, Qing-Tai Zhao
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: IEEE 2019
Materias:
SOI
Acceso en línea:https://doaj.org/article/20a0c3ca7938449aa55030c916ec1985
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