Contact HTSC semiconductor for diode detectors: role of surface states in quasi-static regime
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Formato: | article |
| Lenguaje: | EN |
| Publicado: |
D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies
2005
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://doaj.org/article/2173ea15deec49459447d3e0c49bf209 |
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