Sung, J., Jeong, J., Ko, W., Byun, J., Lee, H., & Lee, G. (2021). High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications. MDPI AG.
Style de citation Chicago (17e éd.)Sung, Jae-Young, Jun-Kyo Jeong, Woon-San Ko, Jun-Ho Byun, Hi-Deok Lee, et Ga-Won Lee. High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications. MDPI AG, 2021.
Style de citation MLA (8e éd.)Sung, Jae-Young, et al. High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications. MDPI AG, 2021.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.