Unconventional metal-insulator transition in RexSi1-x
Low-temperature resistivity of the amorphous RexSi1-x thin films at x
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Format: | article |
Langue: | EN |
Publié: |
D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies
2010
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Sujets: | |
Accès en ligne: | https://doaj.org/article/bfe5aedb60604945b97b6d324b0c73d9 |
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