Unconventional metal-insulator transition in RexSi1-x

Low-temperature resistivity of the amorphous RexSi1-x thin films at x

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Aruşanov, Ernest, Lisunov, Constantin, Schumann, J, Vinzellberg, H
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies 2010
Materias:
Acceso en línea:https://doaj.org/article/bfe5aedb60604945b97b6d324b0c73d9
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