Résultat(s) 1 - 1 résultats de 1 pour la requête '"Ga₂O₃ gate insulator layer"', Temps de recherche: 0,04s Affiner les résultats
  1. 1
    Fabrication and Characterization of GaN-Based Fin-Channel Array Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors With Recessed-Gate and Ga₂O₃ Gate Insulator Layer
    Sujets: “...Ga₂O₃ gate insulator layer...”
    Accéder au texte intégral
    article
    Ajouter aux favoris
    Enregistré dans:
Outils de recherche: S'abonner aux flux RSS — Envoyer cette recherche par courriel — Enregistrer la recherche