InGaAs Junctionless FinFETs With Self-Aligned Ni-InGaAs S/D

In this paper, the InGaAs junctionless (JL) FinFET with notable electrical performance is demonstrated. The device with <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$W_{\mathrm{ fin}}$ </tex-math></inline-formula> down to 20 nm, EOT of 2.1 nm, and <inline-formula&...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Po-Chun Chang, Chih-Jen Hsiao, Franky Juanda Lumbantoruan, Chia-Hsun Wu, Yen-Ku Lin, Yueh-Chin Lin, Simon M. Sze, Edward Yi Chang
Formato: article
Lenguaje:EN
Publicado: IEEE 2018
Materias:
Acceso en línea:https://doaj.org/article/c5dab5b9ff754d93ad7d8c0994cb13d9
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