Author Correction: A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors
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| Autores principales: | , , , , , , , , , , |
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| Formato: | article |
| Lenguaje: | EN |
| Publicado: |
Nature Portfolio
2021
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://doaj.org/article/e9fc89a38b0c4ba2b1939ae82fa6fb02 |
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