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2Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronicspar Muhammad Fahlesa Fatahilah, Feng Yu, Klaas Strempel, Friedhard Römer, Dario Maradan, Matteo Meneghini, Andrey Bakin, Frank Hohls, Hans Werner Schumacher, Bernd Witzigmann, Andreas Waag, Hutomo Suryo WasistoAccéder au texte intégral
Publié 2019
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3Toward three-dimensional hybrid inorganic/organic optoelectronics based on GaN/oCVD-PEDOT structurespar Linus Krieg, Florian Meierhofer, Sascha Gorny, Stefan Leis, Daniel Splith, Zhipeng Zhang, Holger von Wenckstern, Marius Grundmann, Xiaoxue Wang, Jana Hartmann, Christoph Margenfeld, Irene Manglano Clavero, Adrian Avramescu, Tilman Schimpke, Dominik Scholz, Hans-Jürgen Lugauer, Martin Strassburg, Jörgen Jungclaus, Steffen Bornemann, Hendrik Spende, Andreas Waag, Karen K. Gleason, Tobias VossAccéder au texte intégral
Publié 2020
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